军事&空间产品
128K x 8静态RAM - SOI
特点
辐射
•装配式与RICMOS ™第四绝缘体上硅（ SOI）的
0.7
µm
过程（L
EFF
= 0.55
µm)
•总剂量硬度通过1×10
6
RAD （SIO
2
)
•中子通过硬度1×10
14
cm
-2
•异步操作
•动态和静态瞬态底价硬度
通过1×10
11
RAD （SI ） / S
•剂量率生存能力通过<1x10
12
RAD （SI ） / S
•对＆ LT软错误率; 1×10
-10
冷门/位天
地球同步轨道
•无闭锁
• CMOS或TTL兼容的I / O
•采用5 V单
±
10 ％的电力供应
其他
•读/写周期时间
≤
16纳秒（典型值）
≤
25纳秒（ -55〜 125°C ）
•典型工作功耗<25毫瓦/兆赫
HX6228
•包装选项
- 32引脚扁平封装（ 0.820英寸x 0.600的。 ）
- 40引脚扁平封装（ 0.775英寸x 0.710的。 ）
概述
在128K ×8抗辐射静态RAM是一种高
性能131,072字×8位的静态随机存取
内存与行业标准的功能。据制作
与霍尼韦尔的抗辐射技术，是
在辐射的操作系统设计用于环境
求。该内存工作在整个军用温度
范围，只需要一个5 V单
±
10 ％的电力供应。该
RAM是引线接合可编程为TTL或CMOS
兼容的I / O 。功耗通常小于25
毫瓦/ MHz的工作时，与小于5毫瓦的低功率
禁用模式。 RAM中读操作完全asynchro-
理性，以15 ns的电压为5V的相关的典型访问时间。
霍尼韦尔的enhancedSOI RICMOS ™IV （辐射Insen-
sitive CMOS）技术是通过辐射硬化
采用先进的和专有的设计，布局和流程
强化技术。该RICMOS ™ IV过程中的一个
先进的5伏， SIMOX CMOS技术具有150埃
栅氧化物和0.7的最小特征尺寸
µm
(0.55
µm
有效栅长-L
EFF
） 。其他功能还包括
霍尼韦尔的专利SHARP平坦化的过程，
一个轻掺杂漏（LDD ）结构的改进的短
通道的可靠性。 A 7晶体管（ 7T ）的存储单元，用于
卓越的单粒子翻转硬化，而三层
金属电源布辛和低收集量SIMOX
基材提供更好的剂量率硬化。
HONEYWELL [ HONEYWELL SOLID STATE ELECTRONICS CENTER ]
