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    SEP8506 参数 Datasheet PDF下载

    SEP8506图片预览
    型号： SEP8506
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 砷化镓红外发光二极管 [GaAs Infrared Emitting Diode]
    分类和应用： 二极管
    文件页数/大小： 4 页 / 314 K
    品牌： HONEYWELL [ HONEYWELL SOLID STATE ELECTRONICS CENTER ]
     浏览型号SEP8506的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SEP8506的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SEP8506的Datasheet PDF文件第4页  
    SEP8506
    砷化镓红外发光二极管
    图。 1
    辐射强度与
    角位移
    1.0
    0.9
    0.8
    0.7
    0.6
    0.5
    0.4
    0.3
    0.2
    0.1
    0.0
    -60
    -45
    -30
    -15
    0
    +15 +30 +45 +60
    图。 2
    gra_030.ds4
    辐射强度与
    正向电流
    10.0
    5.0
    2.0
    1.0
    0.5
    0.2
    0.1
    10
    20
    30
    40 50
    gra_028.ds4
    归一化辐射强度
    相对强度
    T
    A
    = 25 °C
    100
    角位移 - 学位
    图。 3
    正向电压Vs
    正向电流
    1.40
    1.35
    1.30
    1.25
    1.20
    1.15
    1.10
    1.05
    0
    20
    40
    60
    正向电流 - 毫安
    图。 4
    正向电压Vs
    温度
    1.40
    1.35
    1.30
    1.25
    1.20
    1.15
    1.10
    1.05
    1.00
    -40
    -15
    10
    35
    60
    85
    I
    F
    = 20毫安
    gra_003.ds4
    gra_207.ds4
    正向电流 - 毫安
    图。五
    光谱带宽
    gra_005.ds4
    正向电压 - V
    正向电压 - V
    温度 - °C
    图。 6
    耦合特性
    与SDP8406
    10
    6
    4
    2
    1.0
    0.6
    0.4
    0.2
    0.1
    0.01
    gra_031.ds4
    1.0
    0.9
    0.8
    0.7
    0.6
    0.5
    0.4
    0.3
    0.2
    0.1
    0.0
    870
    光电流 - 毫安
    相对强度
    I
    F
    = 20毫安
    V
    CE
    = 5V
    T
    A
    = 25 °C
    0.02
    0.05
    0.1
    0.2
    0.5
    1.0
    890
    910
    930
    950
    970
    990
    1010
    波长 - 纳米
    镜头到镜头分离 - 英寸
    42
    h
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