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BD63510AEFV

BD63510AEFV是适用于1/16µ-step的步进电机驱动器。作为基本功能，是低功耗双极PWM恒流驱动器，额定电源为36V、额定输出电流(DC)为1.0A，接口为CLK-IN驱动型。通过内置DAC，励磁模式适用于Full step (2相励磁)、Half step (1-2相励磁)、Quarter step (W1-2 相励磁)、Sixteenth step (4W1-2相励磁）模式，对于电流衰减方式，可自由设定FAST DECAY/SLOW DECAY的比率，可对所有电机实现很好的控制状态。另外，也可使用一个系统电源进行驱动，因此有助于提高整机设计的便利性。

电机驱动驱动器

0 ROHM

PBSS301NX

12 V, 5.3 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction

开关晶体管

0 NEXPERIA

GRM1552C1E510GA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]

医疗医疗器械

0 MURATA

GQM1555C2D7R6BB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]

医疗医疗器械

1 MURATA

GRM155R71E153KA61#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]

医疗医疗器械

0 MURATA

FDD5612

60V N 沟道 PowerTrench® MOSFET 18A，55mΩ

开关脉冲晶体管

0 ONSEMI

SCT4045DR

SCT4045DR是有助于应用产品实现小型化和更低功耗的SiC MOSFET。该产品采用带有驱动器源极引脚的封装形式，可更大程度地激发出SiC MOSFET的高速开关性能。ROHM的第4代SiC MOSFETSCT4系列是改善了短路耐受时间并实现了业界超低导通电阻的第4代产品。与以往产品相比，该系列产品的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。另外，还支持更容易处理的15V栅-源电压，使应用产品的设计更容易。

开关栅驱动驱动器

1 ROHM

GMA05XB11A153KA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]

医疗医疗器械

0 MURATA

GQM1555G2D220JB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]

医疗医疗器械

1 MURATA

GCM1885C1H103GA16#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]

医疗医疗器械

0 MURATA

GCM1885G2A750JA16#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]

医疗医疗器械

0 MURATA

GRM155C80J105ME02#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]

医疗医疗器械

0 MURATA

BSZ120P03NS3 G

英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范中的至高质量和性能要求，例如导通电阻特性和品质因数特性。

暂无信息

0 INFINEON

GRM219R11E563JA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]

医疗医疗器械

0 MURATA

BD35395FJ-M

BD35395FJ-M是适用于JEDEC标准DDR1/2/3/3L-SDRAM的终端稳压器。内置N-MOSFET，漏型/源型最大可提供1A电流的线性电源。内部的OP-AMP采用高速设计，实现了优异的瞬态响应特性。为驱动内部的N-MOSFET，需要3.3V或5.0V偏压电源。为确保JEDEC规定的电压精度，本产品拥有独立的基准输入引脚（VDDQ）和独立的反馈引脚（VTTS），实现了优异的输出电压精度和负载调整率。Power Supply Reference BoardFor Xilinx’s FPGA Spartan-7

驱动动态存储器双倍数据速率稳压器

0 ROHM

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