绝对最大额定值
(无需降额高达+ 125°C )
存储温度范围,T
S
................................... -65 ° C至+ 150°C
工作温度,T
A
.......................................... -55 ° C至+ 125 ° ç
外壳温度,T
C
................................................................ +170°C
结温,T
J
........................................................... +175°C
无铅焊锡温度............................................... 260 ℃下进行10秒
正向峰值输入电流(每通道,
≤
1毫秒的时间) ,我
˚F PK
.................................................. ............ 40毫安
平均输入正向电流,我
˚F AVG
(每个通道) ................ 20毫安
反向输入电压, BV
R
......................请参阅电气特性
平均输出电流,我
O
(每个通道) ................................... 8毫安
峰值输出电流I
O
(每个通道) ...................................... 16毫安
电源电压,V
CC
.................................................. ....... -0.5到20V
输出电压V
O
(各信道) ................................... -0.5到20V
输入功率耗散(每个通道) ..................................... 36毫瓦
输出功率耗散(每个通道) ................................. 50毫瓦
封装功耗,P
D
(每个通道) ........................ 200毫瓦
单通道8针,双通道16针,
和LCCC只有
发射基地反向电压,V
EBO
............................................... 3.0 V
基极电流,我
B
(每个通道) .............................................. ...... 5毫安
ESD分类
( MIL -STD -883方法3015 )
4N55 , 4N55 / 883B , HCPL -5500 / 01 ,并
HCPL -三十一分之六千五百三十零............................................. ........................ ( Δ ) , 1级
HCPL -5530 /31, HCPL-五十一分之六千五百五十〇 ....................................... (点) , 3级
推荐工作条件
参数
输入电流,低电平
输入电流,高级别
电源电压,输出
符号
I
FL
I
FH
V
CC
分钟。
12
2
马克斯。
250
20
18
单位
µA
mA
V
1-564