HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： HE6705
发行日期： 1995年1月27日
修订日期： 2001年9月13日
页页次： 1/3
HSB857 / 2SB857
PNP外延平面晶体管
描述
低频功率放大器。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
•
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -50 〜+ 150
°C
结温................................................ .................................... 150
°C
最大
•
最大功率耗散
总功率耗散（TC = 25℃） ........................................ ............................................. 40瓦
•
最大电压和电流
BVCBO集电极 - 基极电压............................................. ......................................... -70 V
BVCEO集电极到发射极电压............................................. ...................................... -50 V
BVEBO发射器基极电压............................................. ............................................. -5 V
IC收藏家Current.............................................................................................................. -4 A
IC集电极电流（ IC峰） ........................................... .................................................. 。 -8 A
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
* VCE （SAT）
* VBE （上）
*hFE1
*hFE2
fT
分钟。
-70
-50
-5
-
-
-
35
60
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
15
马克斯。
-
-
-
-1
-1
-1
-
320
-
单位
V
V
V
uA
V
V
测试条件
IC = -10uA ， IE = 0
IC = -50mA ， IB = 0
IE = -10uA ， IC = 0
VCB = -50V ， IC = 0
IC = -2A ， IB = -0.2A
IC = -1A ， VCE = -4V
IC = -0.1A ， VCE = -4V
IC = -1A ， VCE = -4V
VCE = -4V ， IC = -500mA ， F = 100MHz的
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
兆赫
中hFE2分类
秩
的hFE
B
60-120
C
100-200
D
160-320
HSB857
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
