H01N45A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	H01N45A
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内容描述：	N沟道功率场效应晶体管 [N-Channel Power Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 47 K
品牌：	HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]

HI- SINCERITY

微电子股份有限公司。

规格。编号： MOS200408

发行日期： 2004年11月1日

修订日期： 2005年3月10日

页页次： 1/4

H01N45A

N沟道功率场效应晶体管

H01N45A引脚分配

3引脚塑封

TO-92

封装代码：一个

引脚1 ：门

引脚2 ：排水

引脚3 ：源

特点

•

典型ř

DS （ ON）

=4.1Ω

•

DV dt能力极高/

•

100％的雪崩测试

•

栅极电荷最小化

•

新的高压BENCHMARK

标志：

应用

•

开关模式低电源（SMPS ）

•

低功耗，低成本的CFL （紧凑型荧光灯）

•

低功耗的电池充电器

绝对最大额定值

符号

DGR

dv / dt的

, T

英镑

参数

漏源电压（V

=0)

漏，栅极电压（R

=20KΩ)

栅源电压

漏电流（连续）在T

=25

漏电流（连续）在T

=100

漏电流（脉冲）

在T总功率耗散

=25

降额因子

峰值二极管恢复电压斜率

工作结存储温度范围

雪崩电流，重复或不重复（脉冲宽度

限制T

最大值）

单脉冲漏极 - 源极雪崩ENRGY - TJ = 25°C

=100V, V

= 10V ，我

= 2A ，L = 10MH ，R

=25Ω)

价值

450

±30

0.5

0.315

2.5

0.025

-65到150

1.5

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

热数据

符号

THJ - AMB

THJ铅

参数

热阻结到环境（最大）

热阻结Leadt （最大）

最大无铅焊接温度的目的

价值

120

260

单位

C / W

H01N45A

HSMC产品规格

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