HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： MOS200502
发行日期： 2005年3月1日
修订日期： 2005年9月28日
页页次： 1/5
H01N60系列
N沟道功率场效应晶体管
H01N60系列引脚分配
TAB
描述
这种高电压MOSFET采用先进的终端方案
提供无degratding增强电压阻断能力
性能随着时间的推移。此外，这种先进的MOSFET被设计成
在雪崩和减刑模式下承受较高的能量。新
能量高效的设计也提供了漏极 - 源极二极管具有快速
恢复时间。专为高电压，高速开关
应用在电源，转换器和PWM电机控制，
这些器件特别适用以及为桥电路中的二极管
速度和换向安全工作区域是至关重要的，并提供
对突发电压瞬变和额外的保证金saafety 。
TAB
1
2
3
3引脚塑封
TO-252
封装代码：J-
引脚1 ：门
2脚&标签：排水
引脚3 ：源
1
2
3
3引脚塑封
TO-251
封装代码：我
引脚1 ：门
2脚&标签：排水
引脚3 ：源
D
特点
•
1A ， 600V ，R
DS （ ON）
=8Ω@V
GS
=10V
•
低门电荷15nC （典型值）。
•
低C
RSS
4pF(Typ.)
•
快速开关
•
提高ð
v
/d
t
能力
H01N60系列
标志：
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
V
GS
P
D
T
j
, T
英镑
T
L
漏源电压
漏电流（连续T
C
=25
o
C)
漏电流（连续T
C
=100
o
C)
漏电流（脉冲）
*1
栅源电压
单脉冲雪崩能量
（L = 59mH ，我
AS
= 1.1A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
=25°C)
雪崩电流
*1
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
*2
栅极 - 源极电压（继续）
总功率耗散（T
A
=25
o
C)
总功率耗散（T
C
=25
o
C)
减免上述25℃
工作和存储温度范围
最大的铅焊接温度的目的， 1/8“
案件从5秒
参数
H01N60I / H01N60J
600
1
0.6
4
±30
50
1
2.8
4.5
±20
2.5
28
0.22
-55到+150
300
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
V
W
W
W / ℃，
°C
°C
* 1 ：重复评级：脉冲宽度有限的最高结温
*2: I
SD
≤1.1A,
DI / dt≤200A / US ，V
DD
ΔBV
DSS
，开始TJ = 25
o
C
H01N60I ， H01N60J
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
