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H02N60F 参数 Datasheet PDF下载

H02N60F图片预览
型号: H02N60F
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内容描述: N沟道功率场效应晶体管 [N-Channel Power Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 78 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: MOS200403
发行日期: 2004年7月1日
修订日期: 2005年7月14日
页页次: 1/6
H02N60系列
N沟道功率场效应晶体管
H02N60系列引脚分配
TAB
1
2
3
3引脚塑封
TO-252
封装代码:J-
引脚1 :门
2脚&标签:排水
引脚3 :源
3引脚塑封
TO-251
封装代码:我
引脚1 :门
2脚&标签:排水
引脚3 :源
描述
这种高电压MOSFET采用先进的终端方案
提供无degratding增强电压阻断能力
性能随着时间的推移。此外,这种先进的MOSFET被设计成
在雪崩和减刑模式下承受较高的能量。新
能量高效的设计也提供了漏极 - 源极二极管具有快速
恢复时间。专为高电压,高速开关
应用在电源,转换器和PWM电机控制,
这些器件特别适用以及为桥电路中的二极管
速度和换向安全工作区域是至关重要的,并提供
对突发电压瞬变和额外的保证金saafety 。
TAB
TAB
1
2
3
3引脚塑封
TO-220AB
封装代码:电子
引脚1 :门
2脚&标签:排水
引脚3 :源
2
3
1
特点
强大的高压端子
Avalanc他能指定
源极到漏极二极管恢复时间等同于离散快速
恢复二极管
二极管电桥电路的特点是使用
I
DSS
和V
DS ( ON)
指定高温
3引脚塑封
TO-220FP
封装代码:F
引脚1 :门
引脚2 :排水
引脚3 :源
1
2
3
D
G
S
H02N60系列
标志:
绝对最大额定值
符号
I
D
I
DM
V
GS
参数
漏电流(连续)
漏电流(脉冲)
栅极 - 源极电压(继续)
总功率耗散(T
C
=25
o
C)
H02N60I (TO- 251 ) / H02N60J (TO- 252)
H02N60E ( TO- 220AB )
P
D
H02N60F ( TO- 220FP )
减免上述25℃
H02N60I (TO- 251 ) / H02N60J (TO- 252)
H02N60E ( TO- 220AB )
H02N60F ( TO- 220FP )
T
j
, T
英镑
E
AS
T
L
工作和存储温度范围
单脉冲漏极 - 源极雪崩ENRGY - TJ = 25°C
(V
DD
=100V, V
GS
= 10V ,我
L
= 2A ,L = 10MH ,R
G
=25Ω)
最大的铅焊接温度的目的, 1/8“
从案例10秒
0.4
0.4
0.33
-55到150
35
260
50
50
25
价值
2
8
±20
单位
A
A
V
W
W / ℃,
°C
mJ
°C
H02N60I , H02N60J , H02N60E , H02N60F
HSMC产品规格