H05N50 参数 Datasheet PDF下载

型号：	H05N50
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内容描述：	N沟道功率MOSFET [N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 48 K
品牌：	HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]

HI- SINCERITY

微电子股份有限公司。

规格。编号： MOS200601

发行日期： 2006年2月1日

修订日期： 2006年2月20日

页页次： 1/4

H05N50系列

N沟道功率MOSFET

H05N50系列引脚分配

TAB

3引脚塑封

TO-220AB

封装代码：电子

引脚1 ：门

2脚&标签：排水

引脚3 ：源

描述

这N - 沟道MOSFET为设计人员提供最好的

快速切换的组合，坚固耐用的设备设计，低导通

性和成本效益。

特点

•

动态的dv / dt额定值

•

额定重复性雪崩

•

快速开关

•

易于并联的

•

简单的驱动要求

3引脚塑封

TO-220FP

封装代码：F

引脚1 ：门

引脚2 ：排水

引脚3 ：源

热特性

符号

Rθ

参数

热阻

结到外壳最大。

热阻

结到环境最大。

价值

TO-220AB

TO-220FP

1.71

3.3

单位

° C / W

H05N50系列符号

绝对最大额定值

符号

DSS

漏源电压

漏电流（连续）

漏电流（脉冲）（ * 1 ）

栅极 - 源极电压（继续）

总功耗

TO-220AB

TO-220FP

减免上述25℃

TO-220AB

TO-220FP

单脉冲雪崩能量（ * 2 ）

雪崩电流（ * 1 ）

重复性雪崩能量（ * 1 ）

峰值二极管恢复（ * 3 ）

工作温度范围

存储温度范围

从最大的铅焊接温度的目的， 1/8“

情况下，10秒

参数

价值

500

±30

0.59

0.3

300

7.4

-55到150

300

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

英镑

* 1 ：重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温

*2: V

= 50V ，起始物为

= 25℃时，L = 24mH ，R

=25Ω, I

=4.5A

*3: I

≤4.5A,

DI / dt≤75A / US ，V

≤V

（ BR ） DSS

, T

≤150°C

H05N50E ， H05N50F

HSMC产品规格

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