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H05N60E 参数 Datasheet PDF下载

H05N60E图片预览
型号: H05N60E
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内容描述: N沟道功率场效应晶体管 [N-Channel Power Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 61 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: MOS200603
发行日期: 2006年2月1日
修订日期: 2006年2月7日
页页次: 1/5
H05N60系列
N沟道功率场效应晶体管
H05N60系列引脚分配
TAB
描述
这种先进的高电压MOSFET被设计成能承受高
能在雪崩模式并切换有效。这种新的高能量
器件还提供了一个漏极至源极二极管具有快速恢复时间。
设计用于高电压,高速开关应用中,如
电源suplies ,转换器,功率电机控制和电桥电路。
1
2
3
3引脚塑封
TO-220AB
封装代码:电子
引脚1 :门
2脚&标签:排水
引脚3 :源
特点
更高的额定电流
低ř
DS ( ON)
较低的电容
低总栅极电荷
更严格的VSD技术指标
较高的雪崩能量
1
2
3
3引脚塑封
TO-220FP
封装代码:F
引脚1 :门
引脚2 :排水
引脚3 :源
D
G
S
H05N60系列
标志:
绝对最大额定值
符号
I
D
I
DM
V
GS
参数
漏电流(连续)
漏电流(脉冲)
栅极 - 源极电压(继续)
总功率耗散(T
C
=25
o
C)
H05N60E ( TO- 220AB )
P
D
H05N60F ( TO- 220FP )
减免上述25℃
H05N60E ( TO- 220AB )
H05N60F ( TO- 220FP )
T
j
, T
英镑
E
AS
T
L
工作和存储温度范围
单脉冲漏极 - 源极雪崩ENRGY - TJ = 25°C
(V
DD
=100V, V
GS
= 10V ,我
L
= 2A ,L = 10MH ,R
G
=25Ω)
最大的铅焊接温度的目的, 1/8“
从案例10秒
0.56
0.2
-55到150
250
260
°C
mJ
°C
W / ℃,
75
35
W
价值
5
20
±30
单位
A
A
V
H05N60E , H05N60F
HSMC产品规格