HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： MOS200801
发行日期： 2008年7月22日
修订日期： 2009.0514
页页次： 1/6
H07N65系列
N沟道功率场效应晶体管
H07N65系列引脚分配
TAB
描述
这种高电压MOSFET采用先进的终端方案
提供无degratding增强电压阻断能力
性能随着时间的推移。此外，这种先进的MOSFET设计
在雪崩和减刑模式下承受较高的能量。新
能量高效的设计也提供了漏极 - 源极二极管具有快速
恢复时间。专为高电压，高速开关
应用在电源，转换器和PWM电机控制，
这些器件特别适用以及为桥电路中的二极管
速度和换向安全工作区域是至关重要的，并提供
对突发电压瞬变和额外的保证金saafety 。
1
2
3
3引脚塑封
TO-220AB
封装代码：电子
引脚1 ：门
2脚&标签：排水
引脚3 ：源
3引脚塑封
TO-220FP
封装代码：F
引脚1 ：门
引脚2 ：排水
引脚3 ：源
1
2
3
D
G
S
特点
H07N65系列
标志：
•
强大的高压端子
•
Avalanc他能指定
•
源极到漏极二极管的恢复时间等同于离散快速恢复二极管
•
二极管电桥电路的特点是使用
•
IDSS和V
DS （ ON）
指定高温
绝对最大额定值
符号
V
DS
漏源电压
参数
漏电流（连续）
漏电流（脉冲）
栅极 - 源极电压（继续）
总功率耗散（T
C
=25
o
C)
H07N65E （ TO- 220AB ）
H07N65F （ TO- 220FP ）
减免上述25
O
C
H07N65E （ TO- 220AB ）
H07N65F （ TO- 220FP ）
工作温度范围
存储温度范围
单脉冲漏极 - 源极雪崩ENRGY - TJ = 25
O
C
(V
DD
=50V, V
GS
= 10V ，我
L
= 7A ，L = 10MH ，R
G
=25Ω)
最大的铅焊接温度的目的， 1/8“
从案例10秒
价值
650
单位
V
I
D
I
DM
V
GS
7
28
±30
120
48
1.18
0.38
-55到150
-55到150
530
260
A
A
V
W
W
W / ℃，
W/
o
C
O
O
P
D
T
j
T
英镑
E
AS
T
L
C
C
mJ
°C
注：1， V
DD
= 50V ，我
D
=7A
2.脉冲宽度和频率由T有限
J（下最大）
和热响应
H07N65E ， H07N65F
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
