H10N60 参数 Datasheet PDF下载

型号：	H10N60
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内容描述：	N沟道功率MOSFET （ 600V ， 10A ） [N-Channel Power MOSFET (600V,10A)]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 211 K
品牌：	HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]

HI- SINCERITY

微电子股份有限公司。

特性曲线

ID ，漏极电流（

规格。编号： MOS200902

发行日期： 2009.01.20

修订日期： 2009.08.05

页页次： 3/5

10V

Ta=150

℃

10V

Ta=25

℃

VDS ，漏极至sourceVoltage （ V）

图1.Ty

皮卡尔输出特性

VDS ，漏极 - 源极电压（V ）

图2.Typical输出特性

VGS=10V

0.9

RDS（ON），漏源导通Resistan

1.8

1.6

1.4

ID=10A

VGS=10V

0.8

1.2

归一化RDS （O

0.8

0.6

0.4

0.2

-50

0.7

0.6

0.5

0.4

ID漏，电流（A ）

TJ ，结温（

℃

)

100

150

图3.典型导通电阻&漏电流

图4.Normalized导通电阻v.s.Junction

100

3.5

VGS （ TH）（V

Tj=150

℃

2.5

为（a ）

Tj=25

℃

0.1

1.5

-50

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

0.01

VSD ，源极到漏极电压（V ）

反向二极管图5.Forward特点

TJ ，结温（

℃

)

100

150

图6.Gate阈值电压v.s.junction

H10N60系列

HSMC产品规格

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