HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： MOS200902
发行日期： 2009.01.20
修订日期：
页页次： 1/4
H12N60F
N沟道功率MOSFET （ 600V ， 12A ）
H12N60F
应用
•
开关模式电源
•
不间断电源
•
高速电源开关
1
2
3
3-Lead
TO-220FP)
塑料包装
封装代码：F
引脚1 ：门
引脚2 ：排水
引脚3 ：源
H12N60F系列符号
特点
•
H10N60F
是高电压的N沟道增强型功率MOSFET的
D
在先进的硅外延平面工艺制造芯片
G
•
先进的终止方案，以提供增强的voltageblocking能力
S
•
较高的雪崩能量
•
源极到漏极二极管的恢复时间等同于离散快恢复二极管;
•
该包装的产品被广泛应用于AC- DC开关电源， DC-DC转换器和Hbridge PWM电机驱动器
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
漏源电压
连续漏电流（ V
GS
@ 10V ，T
C
=25
o
C)
连续漏电流（ V
GS
@ 10V ，T
C
=100 C)
漏电流脉冲
*1
栅极 - 源极电压
总功率耗散（T
C
=25
o
C)
P
D
线性降额因子
E
AS
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
单脉冲雪崩能量
*2
雪崩电流
*1
重复性雪崩能量
*1
工作结温范围
存储温度范围
TO-220AB
TO-220FP
TO-220AB
TO-220FP
68
12
66
-55到150
-55到150
o
参数
价值
600
12
7.6
40
±30
175
50
1.43
0.41
单位
V
A
A
A
V
W
W / ℃，
mJ
A
mJ
°C
°C
* 1 ：重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温
* 2 ：起始物为
J
= 25℃时，L = 1.2mH ，R
G
=25Ω, I
AS
=10A
*3: I
SD
≤14A,
DI / dt≤130A / US ，V
DD
≤V
（ BR ） DSS
, T
J
≤150°C
热特性
符号
Rθ
JC
Rθ
JA
参数
TO-220AB
价值
1.3
5
TO-220FP
单位
° C / W
° C / W
热阻结到外壳（最大）
热阻结到环境（最大）
62
H10N60F
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
