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H1N5820 参数 Datasheet PDF下载

H1N5820图片预览
型号: H1N5820
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内容描述: PNP外延平面晶体管 [PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 36 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6716
发行日期: 1996年2月1日
修订日期: 2002年2月18日
页页次: 1/3
H2584
PNP外延平面晶体管
描述
在H2584是专为低电压和低使用差
稳压器的应用程序。
绝对最大额定值
TO-220
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ ...................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散(TC = 25℃) ........................................ ............................................. 65瓦
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ........................................... -20 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ........................................ -15 V
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................ -5 V
IC集电极电流........................................................................................................... -10一
特征
(Ta=25°C)
符号
* BVCEO
ICBO
ICEO
IEBO
* VCE (SAT)
VBE (ON)的
*hFE1
*hFE2
分钟。
-15
-
-
-
-
-
2
1
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
15
马克斯。
-
-10
-20
-2
-1.5
-2
60
60
单位
V
uA
uA
mA
V
V
K
K
测试条件
IC=-100mA
VCB=-20V
VCE=-15V
VEB=-5V
IC = -10A , IB = -10mA
IC = -5A , VCE = -1.7V
IC = -500mA , VCE = -1.7V
IC = -10A , VCE = -1.7V
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
H2584
HSMC产品规格