HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: MOS200807
发行日期: 2008.11.12
修订日期: 2009,12,15
页页次: 1/5
H2305N
P沟道增强型MOSFET ( -20V , -4.5A )
H2305N引脚分配&符号
3
2
3引脚塑封
SOT-23
封装代码:N
引脚1 : 2门:源3 :漏
来源
门
1
特点
•
R
DS ( ON)
<58mΩ@V
GS
= -4.5V ,我
D
=-4.2A
•
R
DS ( ON)
<71mΩ@V
GS
= -2.5V ,我
D
=-2A
•
简单的驱动要求
•
封装尺寸小
•
ISurface贴装器件
漏
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供设计师与快速切换的最佳组合
低导通电阻和成本效益。
采用SOT -23封装普遍首选的所有商业工业表面贴装应用,并适用于
低电压,应用,如DC / DC转换器。
绝对最大额定值
(T
A
=25
o
C,除非另有说明)
符号
V
DS
V
GS
ID@TA=25℃
ID@TA=70℃
I
DM
P
D
T
英镑
T
j
,
漏源电压
栅源电压
连续漏电流)
连续漏电流
漏电流(脉冲)
*1
总功率耗散@T
A
=25
o
C
存储温度范围
工作结温范围
参数
评级
-20
±8
-4.5
-3.5
-10
1.38
-55到+150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
* 1 :重复评级:脉冲宽度有限的最高结temperation 。
* 2: 1中
2
2盎司铜PCB板
H2305N
HSMC产品规格