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H2N3904 参数 Datasheet PDF下载

H2N3904图片预览
型号: H2N3904
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内容描述: PNP外延平面晶体管 [PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 4 页 / 39 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6218
发行日期: 1992年11月25日
修订日期: 2002年4月3日
页页次: 1/4
H2N3904
NPN外延平面晶体管
描述
该H2N3904是专为通用开关和放大器
应用程序。
绝对最大额定值
TO-92
最高温度
存储温度................................................ ........................................... -55 〜+ 150
°C
结温................................................ .................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ....................................... 625毫瓦
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ............................................ 60 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ......................................... 40 V
VEBO发射器基Voltage.............................................................................................. 6 V
IC收藏家Current........................................................................................................ 200毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICEX
*VCE(sat)1
*VCE(sat)2
*VBE(sat)1
*VBE(sat)2
*hFE1
*hFE2
*hFE3
*hFE4
*hFE5
fT
COB
分钟。
60
40
6
-
-
-
650
-
40
70
100
60
30
300
-
典型值。
-
-
-
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-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
50
200
300
850
950
-
-
300
-
-
-
4
单位
V
V
V
nA
mV
mV
mV
mV
测试条件
IC = 10uA的, IE = 0
IC = 1mA时, IB = 0
IE =为10uA , IC = 0
VCE = 30V , VBE = 3V
IB = 1mA时, IC = 10毫安
IB = 5毫安, IC = 50毫安
IB = 1mA时, IC = 10毫安
IB = 5毫安, IC = 50毫安
VCE = 1V , IC = 100uA的
VCE = 1V , IC = 1毫安
VCE = 1V , IC = 10毫安
VCE = 1V , IC = 50毫安
VCE = 1V , IC =百毫安
IC = 10毫安, VCE = 20V , F = 100MHz的
VCB = 5V , F = 1MHz时, IE = 0
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
兆赫
pF
H2N3904
HSMC产品规格