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H2N5087 参数 Datasheet PDF下载

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型号: H2N5087
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内容描述: PNP外延平面晶体管 [PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 4 页 / 42 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6210 -A
发行日期: 1998年2月1日
修订日期: 2000年9月15日
页页次: 1/4
H2N5087
PNP外延平面晶体管
描述
此设备被设计为低噪声,高增益,一般用途
放大器应用为1uA 25mA的集电极电流。
绝对最大额定值
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ ................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ....................................... 625毫瓦
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. .......................................... -50 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ....................................... -50 V
VEBO发射器基极电压............................................. ............................................... -3 V
IC集电极电流......................................................................................................... -50mA
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE (SAT)
VBE (ON)的
*hFE1
*hFE2
*hFE3
fT
COB
分钟。
-50
-50
-3
-
-
-
-
250
250
250
40
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
-50
-50
-0.3
-0.85
800
-
-
-
4.0
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
测试条件
IC=-100uA
IC=-1mA
IE=-10uA
VCB=-35V
VEB=-3V
IC = -10mA , IB = -1mA
IC = -10mA , IB = -5V
VCE = -5V , IC = -0.1mA
VCE = -5V , IC = -1mA
VCE = -5V , IC = -10mA
IC = -0.5mA , VCE = -5V , F = 100MHz的
VCB = -5V , F = 1MHz的
兆赫
pF
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
HSMC产品规格