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H2N5366 参数 Datasheet PDF下载

H2N5366图片预览
型号: H2N5366
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内容描述: PNP外延平面晶体管 [PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 38 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6275 -A
发行日期: 1999年2月1日
修订日期: 2000年9月15日
页页次: 1/3
H2N5366
PNP外延平面晶体管
描述
该H2N5366是专为一般用途的应用要求
高击穿电压。
特点
此设备被设计为使用一般通用放大器和开关。
绝对最大额定值
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ ................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ....................................... 400毫瓦
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. .......................................... -40 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ....................................... -40 V
VEBO发射器基极电压............................................. ............................................... -4 V
IC集电极电流...................................................................................................... -500毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
*VCE(sat)1
*VCE(sat)2
*VBE(sat)1
*VBE(sat)2
*hFE1
*hFE2
*hFE3
fT
COB
分钟。
-40
-40
-4
-
-
-
-
-
-
80
100
40
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
-100
-100
-250
-1
-1.1
-2
-
-
-
-
10
单位
V
V
V
nA
nA
mV
V
V
V
测试条件
IC = -100uA , IE = 0
IC = -1mA , IB = 0
IE = -10uA , IC = 0
VCB = -45V , IE = 0
VEB = -3V 。 IC = 0
IC = -50mA , IB = -5mA
IC = -300mA , IB = -30mA
IC = -50mA , IB = -5mA
IC = -300mA , IB = -30mA
VCE = - 1V , IC = -2mA
VCE = - 1V , IC = -50mA
VCE = -5V , IC = -300mA
VCE = -10V , IC = -10mA , F = 100MHz的
VCB = -10V , F = 1MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
兆赫
PF
HSMC产品规格