欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

H2N6718L 参数 Datasheet PDF下载

H2N6718L图片预览
型号: H2N6718L
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 4 页 / 45 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
 浏览型号H2N6718L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号H2N6718L的Datasheet PDF文件第3页浏览型号H2N6718L的Datasheet PDF文件第4页  
HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6218
发行日期: 1992年11月25日
修订日期: 2001年4月24日
页页次: 1/4
H2N6718L
NPN外延平面晶体管
描述
该H2N6718L是专为通用中等功率
放大器和开关应用。
特点
高功率: 850MW
高电流: 1A
绝对最大额定值
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ ................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ....................................... 850毫瓦
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ......................................... 100伏
VCEO集电极到发射极电压............................................. ...................................... 100伏
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................ 5 V
IC集电极电流(继续) ............................................ ................................................ 1
IC集电极电流(Pulse).................................................................................................. 2将
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
* VCE (SAT)
*hFE1
*hFE2
*hFE3
fT
COB
分钟。
100
100
5
-
-
80
50
20
50
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
100
350
-
300
-
-
20
单位
V
V
V
nA
mV
测试条件
IC=100uA
IC=1mA
IE=10uA
VCB=80V
IB = 35毫安, IC = 350毫安
VCE = 1V , IC = 50毫安
VCE = 1V , IC = 250毫安
VCE = 1V , IC = 500毫安
VCE = 10V , IC = 50mA时F = 100MHz的
VCB = 10V , IE = 0 , F = 1MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
兆赫
pF
中hFE2分类
范围
A
50-115
B
95-300
H2N6718L
HSMC产品规格