HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： MOS200803
发行日期： 2005年3月13日
修订日期： 2010,03,04
页页次： 1/5
H2N7002K
N沟道晶体管
描述
N沟道增强型MOS晶体管。
ESD保护
绝对最大额定值
漏源电压............................................................................................................................................ 60 V
漏，栅极电压（R
GS
=1MΩ)............................................................................................................................. 60 V
栅源电压...........................................................................................................................................
±20
V
(1)
连续漏电流（T
A
= 25℃） ............................................................................................................. 200毫安
(1)
连续漏电流（T
A
= 100℃） ........................................................................................................... 115毫安
(2)
漏电流脉冲（T
A
= 25℃） .................................................................................................................... 800毫安
总功率耗散（T
C
=25°C).................................................................................................................. 200毫瓦
减免上述25℃ .................................................................................................................................. 0.16毫瓦/
°C
存储Temperature............................................................................................................................... -55到150
°C
工作结温............................................................................................................. -55到150
°C
焊接温度， 10秒焊接...................................................................................................... 260
°C
门源ESD Rating……………………………………………………………………………………………….… 2KV
热特性
热阻， Junction-to-Ambient................................................................................................... 625
°C
/ W
电气特性
(T
A
=25°C)
参数
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门源漏电流，正向
门源漏电流，反向
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
静态漏源通态电压
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS /女
I
GSS / R
I
DSS
I
D（上）
V
DS （ ON）
测试条件
V
GS
=0, I
D
=10uA
V
DS
= 2.5V ，我
D
=0.25mA
V
GS
=+20V, V
DS
=0
V
GS
=-20V, V
DS
=0
V
DS
=48V, V
GS
=0
V
DS
>2V
DS （ ON）
, V
GS
=10V
I
D
= 50mA时V
GS
=5V
I
D
= 500毫安，V
GS
=10V
I
D
= 75毫安，V
GS
=4.5V
静态漏源导通电阻
正向跨导
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
G
FS
t
D（上）
t
D（关闭）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
=25V, V
GS
= 0中，f = 1MHz的
I
D
= 50mA时V
GS
=5V
I
D
= 500毫安，V
GS
=10V
V
DS
>2V
DS （ ON）
, I
D
=200mA
(V
DD
= 50V ，R
D
=250Ω,
V
GS
= 10V ，R
G
=50Ω)
-
-
80
-
-
-
-
-
-
-
-
20
40
50
25
5
5.0
5.0
-
-
-
民
60
1
-
-
-
500
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
2.0
10
-10
10
-
0.375
3.75
单位
V
V
uA
uA
uA
mA
V
V
Ω
Ω
Ω
mS
nS
nS
pF
pF
pF
（1）在封装的功率耗散，可能会导致在连续的漏极电流。
（ 2 ）脉冲Width≤300us ，职务cycle≥2 ％ 。
H2N7002K
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
