H2N7002 参数 Datasheet PDF下载

HI- SINCERITY

微电子股份有限公司。

规格。编号： HE6823

发行日期： 1994年1月25日

修订日期： 2002年10月24日

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H2N7002

N沟道晶体管

描述

N沟道增强型MOS晶体管。

SOT-23

绝对最大额定值

漏源Voltage............................................................................................................. 60 V

漏极 - 栅极电压（ RGS = 1MΩ ） ......................................... .................................................. 60 V

栅源电压........................................................................................................ +/- 40 V

连续漏电流（ TA = 25 ° C） （ 1 ） ..................................... ...................................... 200毫安

连续漏电流（钽= 100 ° C） （ 1 ） ..................................... .................................... 115毫安

漏电流脉冲（ TA = 25 ℃） （ 2 ） ..................................... .............................................. 800毫安

总功率耗散（TC = 25℃） ........................................ .......................................... 200毫瓦

减免上述25℃ ............................................. .................................................. .... 0.16的Mw /

°C

存储温度................................................ ............................................... -55〜 150

°C

工作结温............................................... .............................. -55〜 150

°C

焊接温度， 10秒焊接........................................... ........................... 260

°C

热特性

热阻，结到环境.......................................... ......................... 625

°C

/ W

特征

(Ta=25°C)

参数

漏源击穿电压

栅极阈值电压

门源漏电流，正向

门源漏电流，反向

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

静态漏源通态电压

静态漏源导通电阻

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

符号

BV

DSS

V

GS （ TH）

I

GSS /女

I

GSS / R

I

DSS

I

D（上）

测试条件

民

60

1

-

-

-

500

-

-

-

-

80

-

-

-

典型值。

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

最大

-

2.5

100

100

1

-

0.375

3.75

7.5

7.5

-

50

25

5

单位

V

V

nA

nA

uA

mA

V

V

Ω

Ω

mS

pF

pF

pF

V

GS

=0, I

D

=10uA

V

DS

= 2.5V ，我

D

=0.25mA

V

GS

=+20V, V

DS

=0

V

GS

=-20V, V

DS

=0

V

DS

=60V, V

GS

=0

V

DS

>2V

DS （ ON）

, V

GS

=10V

I

D

= 50mA时V

GS

=5V

V

DS （ ON）

I

D

= 500毫安，V

GS

=10V

I

D

= 50mA时V

GS

=5V

R

DS （ ON）

I

D

= 500毫安，V

GS

=10V

G

FS

V

DS

>2V

DS （ ON）

, I

D

=200mA

C

国际空间站

C

OSS

V

DS

=25V, V

GS

= 0中，f = 1MHz的

C

RSS

（1）在封装的功率耗散，可能会导致在连续的漏极电流。

（ 2 ）脉冲Width≤300us ，职务cycle≥2 ％ 。

H2N7002

HSMC产品规格