HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: MOS200702
发行日期: 2007.03.01
修订日期: 2007年3月28日
页页次: 1/4
H3055MJ
N沟道增强型MOSFET ( 30V , 12A )
H3055MJ引脚分配
TAB
1
2
3
3引脚塑封
TO-252
封装代码:J-
引脚1 :门
2脚&标签:排水
引脚3 :源
描述
这N沟道2.5V指定的MOSFET是先进的坚固大门版本
沟工艺。它已被优化的电源管理应用与
广泛的栅极驱动电压( 2.5V - 10V )
D
内部原理
图
G
S
特点
•
R
DS ( ON)
=45mΩ@V
GS
= 4.5V ,我
D
= 5.2A ; ř
DS ( ON)
=35mΩ@V
GS
= 10V ,我
D
=6A
•
对于超低导通电阻高密度电池设计
•
高功率和电流移交能力
•
充分界定雪崩电压和电流
•
非常适用于锂离子电池应用
应用
•
电池保护
•
负荷开关
•
电源管理
绝对最大额定值
(T
A
=25
o
C,除非另有说明)
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
英镑
R
θ
JA
漏源电压
栅源电压
漏电流(连续)
漏电流(脉冲)
*1
o
o
参数
评级
30
±20
12
30
2
1.3
-55到+150
62.5
单位
V
V
A
A
W
W
°C
° C / W
总功率耗散@T
A
=25 C
总功率耗散@T
A
=75 C
工作和存储温度范围
热阻结到环境
*2
* 1:最大直流电流受限于包
2
* 2 : 1 ,在2盎司铜PCB板
H3055MJ
HSMC产品规格