H35N03J 参数 Datasheet PDF下载

型号：	H35N03J
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内容描述：	N沟道增强型MOSFET （ 25V ， 35A ） [N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (25V, 35A)]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 89 K
品牌：	HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]

HI- SINCERITY

微电子股份有限公司。

规格。编号： MOS200515

发行日期： 2005年1月1日

修订日期： 2005年10月14日

页页次： 1/5

H35N03J

N沟道增强型MOSFET （ 25V ， 35A ）

H35N03J引脚分配

TAB

3引脚塑封

TO-252

封装代码：J-

引脚1 ：门

2脚&标签：排水

引脚3 ：源

特点

•

DS （ ON）

=8.5mΩ@V

= 10V ，我

=30A

•

DS （ ON）

=13mΩ@V

= 4.5V ，我

=30A

•

先进的加工技术

•

对于超低导通电阻高密度电池设计

•

专为DC / DC转换器和电机驱动器

•

充分界定雪崩电压和电流

•

改进直通FOM

内部原理

图

最大额定值&热特性

=25

C除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

最大功率耗散

=25

=75

符号

英镑

θJC

θJA

价值

±20

140

-55到150

300

2.2

单位

工作结存储温度范围

雪崩能量单脉冲

= 35A ，V

= 20V ，L = 0.14mH

结到外壳热阻

结至环境热阻（ PCB安装）

* 1：最大直流电流受限于封装。

* 2： 1中

2盎司铜PCB板

C / W

开关

测试电路

开关

波形

吨

TD （上）

花花公子

TR TD （关闭）

90%

90 %

根

OUT

输出，V

OUT

10%

倒

90%

50%

输入，V

10%

脉冲宽度

H35N03J

HSMC产品规格

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