HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号：初步数据
发行日期： 1998年7月1日
修订日期： 1999年8月1日
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H603AL
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
描述
这非常高密度的过程中已特别针对减少导通
态电阻，提供出色的开关性能。这些
器件特别适用于低电压应用，如直流/直流
转换器和其它电池供电的电路，其中快速开关，低IN-
需要线路的功率损耗，以及抗瞬变。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
•
最高温度
工作和存储温度.............................................. .................................. -65 〜 +175
°C
•
最大功率耗散
在Tc总功耗= 25°C ......................................... .................................................. .... 60瓦
减免上述25℃ ................................................................................................................ 0.4W /
°C
•
最大电压和电流
漏源电压...................................................................................................................... 30 V
栅源电压-Continuous................................................................................................
±
20 V
漏电流 - 连续.............................................................................................................. 30 A
漏电流-Pulsed ................................................................................................................... 100 A
热阻，结至外壳.......................................... ........................................ 2.5
°C
/ W
热阻，结到环境.......................................... .................................. 62.5
°C
/ W
电气特性
•
开关特性
符号
参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
零栅极电压漏极电流
+I
GSS
门体泄漏，正向
-I
GSS
门体泄漏，反向
•
基本特征
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
=V
GS
, I
D
=10mA
V
GS
= 10V ，我
D
=25A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=10A
V
GS
=10V, V
DS
=10V
V
GS
=4.5V, V
DS
=10V
V
DS
= 10V ，我
D
=25A
1.1
1.4
-
-
60
15
-
-
-
-
-
3
-
3
0.018 0.022
0.029 0.040
-
-
-
-
26
-
1100
600
180
-
-
-
V
Ω
A
S
pF
pF
pF
条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
GS
=20V, V
DS
=0V
V
GS
=-20V, V
DS
=0V
民
30
-
-
-
典型值
-
-
-
-
最大单位
-
V
10
uA
100 nA的
-100 nA的
R
DS
（上）静态漏源导通电阻
I
DS
（上）
g
FS
通态漏电流
正向跨导
•
动态特性
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
V
DS
=15V, V
GS
=0V
f=1.0Mhz
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
