H8205 参数 Datasheet PDF下载

型号：	H8205
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内容描述：	双N沟道增强型MOSFET （ 20V ， 6A ） [Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V, 6A)]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 53 K
品牌：	HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]

HI- SINCERITY

微电子股份有限公司。

规格。编号： MOS200904

发行日期： 2009.02.27

修订日期： 2010.07.02

页页次： 1/4

H8205

双N沟道增强型MOSFET （ 20V ， 6A ）

H8205符号&引脚分配

描述

这N沟道2.5V指定的MOSFET是先进的坚固大门版本

沟工艺。它已被优化的电源管理应用与

广泛的栅极驱动电压（ 2.5V - 10V ）

引脚1 ： 1来源

引脚2 ： Drania 1 & 2

引脚3 ： 2来源

引脚4 ： 2门

引脚5 ： Drania 1 & 2

引脚6 ： 1号门

特点



DS （ ON）

=40m@V

= 2.5V ，我

= 5.2A ; ř

DS （ ON）

=25m@V

= 4.5V ，我

=6A



对于超低导通电阻高密度电池设计



高功率和电流移交能力



充分界定雪崩电压和电流



非常适用于锂离子电池应用

应用



电池保护



负荷开关



电源管理

绝对最大额定值

=25

C，除非另有说明）

符号

, T

英镑



漏源电压

栅源电压

漏电流

漏电流（脉冲）

总功率耗散@T

=25 C

参数

评级

8

1.3

-55到+150

62.5

单位

C

° C / W

总功率耗散@T

=75

工作和存储温度范围

热阻结到环境

* 1：最大直流电流受限于包

* 2： 1中

2盎司铜PCB板

H8205

HSMC产品规格

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