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H9435S 参数 Datasheet PDF下载

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型号: H9435S
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内容描述: P沟道增强型MOSFET ( -30V , -5.3A ) [P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-30V, -5.3A)]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 41 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: MOS200509
发行日期: 2005年10月1日
修订日期: 2005年10月6日
页页次: 1/4
H9435S
P沟道增强型MOSFET ( -30V , -5.3A )
8引脚塑料
SO-8
套餐编号:S
H9435S符号&引脚分配
特点
R
DS ( ON)
=60mΩ@V
GS
= -10V ,我
D
=-5.3A
R
DS ( ON)
=90mΩ@V
GS
= -4.5V ,我
D
=-4.2A
先进的加工技术
对于超低导通电阻高密度电池设计
充分界定雪崩电压和电流
改进直通FOM
5
6
7
8
4
3
2
1
引脚1 /2/3 :源
引脚4 :门
引脚5 /6/ 7/8 :漏
绝对最大额定值
(T = 25℃,除非另有说明)
o
A
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
英镑
R
θJC
R
θJA
漏源电压
栅源电压
漏电流(连续)
漏电流(脉冲)
*1
参数
评级
-30
±20
-5.3
-20
2.5
-55到+150
30
50
单位
V
V
A
A
W
°C
° C / W
° C / W
总功率耗散@T
A
=25
o
C
工作和存储温度范围
热阻结到外壳
热阻结到环境(PCB安装)
*2
* 1:最大直流电流受限于包
* 2: 1中
2
2盎司铜PCB板
H9435S
HSMC产品规格