HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： MOS200513
发行日期： 2005年10月1日
修订日期： 2005年10月6日
页页次： 1/4
H9926TS / H9926CTS
双N沟道增强型MOSFET （ 20V ， 6A ）
8引脚塑料
TSSOP-8L
封装代码： TS
H9926TS符号&引脚分配
8
7
6
5
描述
这N沟道2.5V指定的MOSFET是先进的坚固大门版本
沟工艺。它已被优化的电源管理应用与
广泛的栅极驱动电压（ 2.5V - 10V ）
Q2
Q1
1
2
3
4
引脚1 ： 1漏
引脚2 /3： 1来源
引脚4 ： 1号门
引脚5 ： 2门
引脚6/7 ： 2来源
引脚8 ： 2漏
特点
•
R
DS （ ON）
=40mΩ@V
GS
= 2.5V ，我
D
= 5.2A ; ř
DS （ ON）
=30mΩ@V
GS
= 4.5V ，我
D
=6A
•
对于超低导通电阻高密度电池设计
•
高功率和电流移交能力
•
充分界定雪崩电压和电流
•
非常适用于锂离子电池应用
H9926CTS符号&引脚分配
8
7
6
5
Q2
Q1
1
2
3
4
引脚1 ：漏
引脚2 /3： 1来源
引脚4 ： 1号门
引脚5 ： 2门
引脚6/7 ： 2来源
引脚8 ：漏
应用
•
电池保护
•
负荷开关
•
电源管理
绝对最大额定值
（T = 25℃，除非另有说明）
o
A
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
英镑
R
θJA
漏源电压
栅源电压
漏电流（连续）
漏电流（脉冲）
*1
参数
评级
20
±12
6
30
1.5
0.96
-55到+150
83
单位
V
V
A
A
W
W
°C
° C / W
总功率耗散@T
A
=25
o
C
总功率耗散@T
A
=75
o
C
工作和存储温度范围
热阻结到环境
*2
* 1：最大直流电流受限于包
* 2： 1中
2
2盎司铜PCB板
H9926TS ， H9926CTS
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
