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型号: HA8050S
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内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 4 页 / 40 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6116
发行日期: 1997年9月8日
修订日期: 2002年4月17日
页页次: 1/4
HA8050S
NPN外延平面晶体管
描述
该HA8550S是专为通用放大器应用。
特点
高直流电流增益(HFE = 100 〜 500 ,在IC = 150毫安)
补充HA8550S
TO-92
绝对最大额定值
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ .................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ........................................ 625毫瓦
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ............................................ 25 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ......................................... 20 V
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................. 5 V
IC收藏家Current........................................................................................................ 700毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE (SAT)
VBE (ON)的
*hFE1
*hFE2
fT
COB
分钟。
25
20
5
-
-
-
-
100
-
150
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
170
-
-
马克斯。
-
-
-
1
100
0.5
1
500
-
-
10
单位
V
V
V
uA
nA
V
V
测试条件
IC=10uA
IC=1mA
IE=10uA
VCB=20V
VEB=6V
IC = 0.5A , IB = 50毫安
VCE = 1V , IC = 150毫安
VCE = 1V , IC = 150毫安
VCE = 1V , IC = 500毫安
VCE = 10V , IC = 20mA时, F = 100MHz的
VCB = 10V , F = 1MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
兆赫
pF
在分类的hFE
hFE1
C
100~200
D
150~300
E
250-500
HA8050S
HSMC产品规格