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型号: HA8550S
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内容描述: PNP外延平面晶体管 [PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 4 页 / 42 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6109
发行日期: 1997年9月5日
修订日期: 2001年4月27日
页页次: 1/4
HA8550S
PNP外延平面晶体管
描述
该HA8550S是专为通用放大器
应用程序。
特点
高直流电流增益(HFE = 100 〜 500 ,在IC = 150毫安)
补充HA8050S
绝对最大额定值
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ ................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ....................................... 625毫瓦
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. .......................................... -25 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ........................................ -20 V
VEBO发射器基极电压............................................. ............................................... -5 V
IC集电极电流...................................................................................................... -700毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
* VCE (SAT)
VBE (ON)的
*hFE1
*hFE2
FT
COB
分钟。
-25
-20
-5
-
-
-
100
-
150
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
170
-
-
马克斯。
-
-
-
-1
-0.5
-1
500
-
-
10
单位
V
V
V
uA
V
V
测试条件
IC=-10uA
IC=-1mA
IE=-10uA
VCB=-20V
IC = -0.5A , IB = -50mA
VCE = - 1V , IC = -150mA
VCE = - 1V , IC = -150mA
VCE = - 1V , IC = -500mA
VCE = -10V , IC = -20mA , F = 100MHz的
VCB = -10V , F = 1MHz的
兆赫
pF
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
在分类的hFE
hFE1
C
100~200
D
150~300
E
250-500
HA8550S
HSMC产品规格