HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： HE6406
发行日期： 1994年1月13日
修订日期： 2002年3月6日
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HAD825
NPN外延平面晶体管
特点
达林顿晶体管。
绝对最大额定值
TO-92
•
最高温度
存储温度................................................ ........................................... -55 〜+ 150
°C
结温................................................ .................................... 150
°C
最大
•
最大功率耗散
总功率耗散（ TA = 25 ℃） ........................................ ....................................... 625毫瓦
•
最大电压和电流（ TA = 25 ° C）
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ............................................ 80 V
VCES集电极到发射极电压............................................. ......................................... 55 V
VEBO发射器基极电压............................................. ............................................... 12 V
IC收藏家Current........................................................................................................ 600毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVces
BVEBO
ICBO
IEBO
冰
* VCE （SAT）
* VCE （SAT）
VBE （ON）的
*hFE1
*hFE2
fT
COB
分钟。
80
55
12
-
-
-
-
-
-
10K
10K
125
-
典型值。
-
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-
-
-
马克斯。
-
-
-
100
100
500
1.2
1.5
1.5
-
100K
-
8
单位
V
V
V
nA
nA
nA
V
V
V
测试条件
IC=100uA
IC=100uA
IE=10uA
VCB=60V
VEB=10V
VCE=60V
IC = 10毫安， IB = 0.01毫安
IC = 100mA时IB = 0.1毫安
IC = 100mA时VCE = 5V
IC = 10毫安， VCE = 5V
IC = 100mA时VCE = 5V
IC = 10毫安， VCE = 5V F = 100MHz的
VCB = 10V ， F = 1MHz的
兆赫
pF
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
HAD825
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
