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HBAT54C 参数 Datasheet PDF下载

HBAT54C图片预览
型号: HBAT54C
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内容描述: 硅肖特基二极管双 [Silicon Schottky Barrier Double Diodes]
分类和应用: 肖特基二极管
文件页数/大小: 4 页 / 35 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6854
发行日期: 1997年4月28日
修订日期: 2004年8月26日
页页次: 1/4
HBAT54系列
描述
硅肖特基二极管双
HBAT54 :单二极管,也可以作为双二极管。
HBAT54A :共阳极。
HBAT54C :共阴极。
HBAT54S :系列关连。
图:
3
3
SOT-23
1
2
1
2
HBAT54
3
HBAT54A
3
特点
这些二极管具有极低的导通电压和快速切换。有一个PN
防过电压接线保护环等电子阁楼放电
保护这些器件。
1
2
1
2
HBAT54C
HBAT54S
绝对最大额定值
最高温度
储存温度............................................................................................................................. -65 〜 + 125
°C
结温.................................................................................................................................... 125
°C
最大功率耗散
总功率耗散(T
A
= 25℃) ............................................................................................................... 230毫瓦
最大电压和电流(T
A
=25°C)
重复峰值反向电压....................................................................................................................... 30 V
正向连续电流......................................................................................................................... 200毫安
重复峰值正向电流................................................................................................................. 300毫安
正向电流浪涌(tp<1s)...................................................................................................................... 600毫安
电气特性
(T
A
=25°C)
特征
反向击穿电压
符号
V
( BR )
V
F(1)
V
F(2)
正向电压
V
F(3)
V
F(4)
V
F(5)
反向电流
总电容
反向恢复时间
I
R
C
T
T
rr
I
R
=10uA
I
F
=0.1mA
I
F
=1mA
I
F
=10mA
I
F
=30mA
I
F
=100mA
V
R
=25V
V
R
= 1V , F = 1MHz的
I
F
=I
R
= 10毫安,R
L
=100Ω,
测量我
R
=1mA
条件
分钟。
30
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
240
320
400
500
1000
2.0
10
5
单位
V
mV
mV
mV
mV
mV
uA
pF
nS
HBAT54 , HBAT54A , HBAT54C , HBAT54S
HSMC产品规格