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HBC327图片预览
型号: HBC327
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内容描述: PNP外延平面晶体管 [PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 4 页 / 40 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6413
发行日期: 1993年1月15日
修订日期: 2002年2月5日
页页次: 1/4
HBC327
PNP外延平面晶体管
描述
这HBC327设计用于音频的驱动器和输出级
放大器器。
特点
高直流电流增益: 100-600在IC = 100mA时VCE = 1V
补充HBC337
TO-92
绝对最大额定值
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ .................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ........................................ 625毫瓦
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ........................................... -50 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ........................................ -45 V
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................ -5 V
IC集电极电流...................................................................................................... -500毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
*hFE1
*hFE2
*VCE(sat)1
VBE (ON)的
fT
COB
分钟。
-50
-45
-5
-
-
100
40
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
4
马克斯。
-
-
-
-100
-100
600
-
-0.7
-1.2
-
-
单位
V
V
V
nA
nA
测试条件
IC = -100uA , IE = 0
IC = -10mA , IB = 0
IE = -100uA , IC = 0
VCB = -30V , IE = 0
VEB = -5V , IC = 0
VCE = - 1V , IC = -100mA
VCE = - 1V , IC = -300mA
IC = -500mA , IB = -50mA
VCE = - 1V , IC = -300mA ,
VCE = -5V , IC = -10mA , F = 100MHz的
VCB = -10V , F = 1MHz时, IC = 0
V
V
兆赫
PF
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
中hFE1分类
范围
16
100-250
25
160-400
40
250-600
HBC327
HSMC产品规格