HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： HA200217
发行日期： 2002年9月1日
修订日期： 2005年2月4日
页页次： 1/4
HBC517
NPN外延平面晶体管
描述
通用高达林顿晶体管
绝对最大额定值
TO-92
•
最高温度
储存温度........................................................................................................................... -55 〜+ 150
°C
结温................................................................................................................... 150
°C
最大
•
最大功率耗散
总功率耗散（T
A
= 25℃） ............................................................................................................... 625毫瓦
•
最大电压和电流（T
A
=25°C)
V
CBO
集电极 - 基极电压........................................................................................................................... 40 V
V
首席执行官
集电极到发射极电压........................................................................................................................ 30 V
V
EBO
发射器基极电压.............................................................................................................................. 10 V
I
C
集电极电流........................................................................................................................................ 500毫安
电气特性
(T
A
=25°C)
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
电流增益带宽积
集电极输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
的hFE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
测试条件
I
C
= 0.1毫安，我
E
=0
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
E
= 1mA时，我
C
=0
V
CB
= 40V ，我
E
=0
V
EB
= 10V ，我
C
=0
I
C
= 100mA时V
CE
=2V
I
C
= 100mA时我
B
=1mA
I
C
= 100mA时我
B
=1mA
I
C
= 100mA时V
CE
=2V,
f=100MHz
V
CB
= 10V ， F = 1MHz时，我
E
=0
分钟。
40
30
10
-
-
30K
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
1.5
220
5
马克斯。
-
-
-
1
1
-
1
2
-
-
V
V
兆赫
pF
单位
V
V
V
uA
uA
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
HBC517
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
