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HBC546图片预览
型号: HBC546
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内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 37 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6417
发行日期: 1992年11月25日
修订日期: 2002年2月18日
页页次: 1/3
HBC546
NPN外延平面晶体管
描述
该HBC546主要打算用于音频的驱动器级
放大器器。
特点
高击穿电压: 65V
高直流电流增益: 110-800在IC = 2毫安VCE = 5V
TO-92
绝对最大额定值
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ .................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ........................................ 625毫瓦
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ............................................ 80 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ......................................... 65 V
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................. 6 V
IC集电极电流.......................................................................................................百毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
VBE(on)1
VBE(on)2
*VCE(sat)1
*VCE(sat)2
*VBE(sat)1
*VBE(sat)2
*的hFE
fT
COB
分钟。
80
65
6
-
-
580
-
-
-
-
110
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
700
900
-
300
-
马克斯。
-
-
-
15
770
700
250
600
-
-
800
4.5
单位
V
V
V
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
兆赫
PF
测试条件
IC = 100uA的, IE = 0
IC = 1mA时, IB = 0
IE =为10uA , IC = 0
VCB = 30V , IE = 0
IC = 10毫安, VCE = 5V
IC = 2毫安, VCE = 5V
IC = 10毫安, IB = 0.5毫安
IC = 100mA时IB = 5毫安
IC = 10毫安, IB = 0.5毫安
IC = 100mA时IB = 5毫安
VCE = 5V , IC = 2毫安
VCE = 5V , IC = 10毫安, F = 100MHZ
VCB = 10V , IE = 0 , F = 1MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
分类的hFE的
范围
HBC546
A
110-220
B
200-450
C
420-800
HSMC产品规格