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HBC556图片预览
型号: HBC556
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内容描述: PNP外延平面晶体管 [PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 38 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6422
发行日期: 1992年11月25日
修订日期: 2001年6月15日
页页次: 1/3
HBC556
PNP外延平面晶体管
描述
该HBC556主要打算用于音频的驱动器级
放大器器。
特点
高击穿电压: 65V ,在IC = 1毫安
AC高电流增益: 75-500在IC = 2毫安, VCE = 5V , F = 1MHz的
绝对最大额定值
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ ................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ....................................... 500毫瓦
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. .......................................... -80 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ....................................... -65 V
VEBO发射器基极电压............................................. ............................................... -5 V
IC集电极电流..................................................................................................... -100毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
VBE(on)1
VBE(on)2
*VCE(sat)1
*VCE(sat)2
*的hFE
fT
COB
分钟。
-80
-65
-5
-
-600
-
-
-
75
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
300
4.5
马克斯。
-
-
-
-15
-750
-820
-300
-650
475
-
-
单位
V
V
V
nA
mV
mV
mV
mV
兆赫
Pf
测试条件
IC = -100uA , IE = 0
IC = -1mA , IB = 0
IE = -10uA , IC = 0
VCB = -30V , IE = 0
IC = -2mA , VCE = -5V
IC = -10mA , VCE = -5V
IC = -10mA , IB = -0.5mA
IC = -100mA , IB = -5mA
VCE = -5V , IC = -2mA ,
VCE = -5V , IC = -10mA , F = 100MHz的
VCB = -10V , IE = 0 , F = 1MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
分类的hFE的
范围
A
125-250
B
220-475
正常
75-475
HBC556
HSMC产品规格