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HBC558 参数 Datasheet PDF下载

HBC558图片预览
型号: HBC558
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内容描述: PNP外延平面晶体管 [PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 37 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HA200104
发行日期: 2001年10月1日
修订日期: 2001年10月23日
页页次: 1/3
HBC558
PNP外延平面晶体管
描述
该HBC558被设计用于切换和AF放大器放大
适用于自动插入在厚和薄膜电路。
绝对最大额定值
TO-92
最高温度
存储温度................................................ ........................................... -55 〜+ 150
°C
连接点Temperature.................................................................................................... 150
°C
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ....................................... 500毫瓦
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ........................................... -30 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ........................................ -30 V
VEBO发射器基极电压............................................. ............................................... -5 V
IC收藏家Current....................................................................................................... -100毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
*VCE(sat)1
*VCE(sat)2
*VBE(sat)1
*VBE(sat)2
VBE(on)1
VBE(on)2
*的hFE
fT
COB
分钟。
-30
-30
-5
-
-
-
-
-
-600
-
110
-
-
典型值。
-
-
-
-
-90
-250
-700
-900
-
-
-
150
-
马克斯。
-
-
-
-15
-300
-650
-
-
-750
-800
800
-
6
单位
V
V
V
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
兆赫
pF
测试条件
IC=-100uA
IC=-1mA
IE=-10uA
VCB=-30V
IC = -10mA , IB = -0.5mA
IC = -100mA , IB = -5mA
IC = -10mA , IB = -0.5mA
IC = -100mA , IB = -5mA
VCE = -5V , IB = -2mA
VCE = -5V , IB = -10mA
VCE = -5V , IC = -2mA
VCE = -5V , IC = -10mA
VCB = -10V , F = 1MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
分类的hFE的
的hFE
A
110-220
B
200-450
C
420-800
HBC558
HSMC产品规格