欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

HBCW65C 参数 Datasheet PDF下载

HBCW65C图片预览
型号: HBCW65C
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 28 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
 浏览型号HBCW65C的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HBCW65C的Datasheet PDF文件第3页  
HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6808
发行日期: 1998年2月1日
修订日期: 2002年10月24日
页页次: 1/3
HBCW65C
NPN外延平面晶体管
描述
该HBCW65C是通用晶体管。
绝对最大额定值
SOT-23
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -65 〜+ 150
°C
结温................................................ .................................................. .. 150
°C
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ........................................ 225毫瓦
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ............................................ 60 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ......................................... 32 V
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................. 5 V
IC收藏家Current........................................................................................................ 800毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
*VCE(sat)1
*VCE(sat)2
* VBE (SAT)
*hFE1
*hFE2
*hFE3
*hFE4
fT
COB
分钟。
60
32
5
-
-
-
-
-
80
180
250
100
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
170
8
马克斯。
-
-
-
20
20
700
300
2.0
-
-
630
-
-
-
单位
V
V
V
nA
nA
mV
mV
V
测试条件
IC=10uA
IC=10mA
IE=10uA
VCB = 32V , IE = 0
VEB = 4V , IC = 0
IC = 500毫安, IB = 50毫安
IC = 100mA时IB = 10毫安
IC = 500毫安, IB = 50毫安
VCE = 10V , IC = 100uA的
VCE = 1V , IC = 10毫安
VCE = 1V , IC =百毫安
VCE = 2V , IC = 500毫安
VCE = 10V , IC = 20mA时, F = 100MHz的
VCB = 10V , F = 1.0MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
兆赫
pF
HBCW65C
HSMC产品规格