HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号：初步数据
发行日期： 2001.08.01
修订日期： 2001年8月24日
页页次： 1/3
HBD140
PNP功率晶体管
描述
在TO- 126塑料封装PNP功率晶体管。 NPN补充：
HBD139
特点
•
大电流（最大1.5A ）
•
低电压（最大80V ）
应用
通用功率应用，如驱动级高保真放大器和电视电路。
极限值
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IBM
PD
TSTG
Tj
TAMB
Parametor
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗在
储存温度
结温
工作环境温度
条件
发射极开路
开基
集电极开路
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-65
-
-65
马克斯。
-100
-80
-5
-1.5
-2
-1
1.2
15
150
150
150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
°C
Ta=25°C
Tc=25°C
-
-
-
电气特性
（ TJ = 25 ° C，除非另有规定）
符号
ICBO
IEBO
* VCE （SAT）
* VBE
的hFE
fT
*hFE1/hFE2
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极电压
直流电流增益
跃迁频率
直流电流增益比
互补对
条件
IE = 0 ， VCB = -30V
IC = 0 ， VEB = -5V
IC = -500mA ， IB = -50mA
IC = -500mA ， VCE = -2V
VCE = -2V ， IC = -5mA
VCE = -2V ， IC = -150mA
VCE = -2V ， IC = -500mA ，
IC = -50mA ， VCE = -5V ， F = 100MHz的
| IC | = 150毫安， | VCE | = 2V
分钟。
-
-
-
-
40
63
25
-
-
典型值。马克斯。
-
-100
-
-100
-
-
-
-
-
230
1
-0.5
-1
-
250
-
-
1.6
单位
nA
nA
V
V
-
-
-
兆赫
-
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
HBD140
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
