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HBD677 参数 Datasheet PDF下载

HBD677图片预览
型号: HBD677
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内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 35 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6620 -B
发行日期: 1994年7月22日
修订日期: 2000年10月1日
页页次: 1/3
HBD677
NPN外延平面晶体管
描述
该HBD677被设计用作输出设备中
互补通用放大器应用。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -50 〜+ 150
°C
结温................................................ ................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散(TC = 25℃) ........................................ ............................................ 20瓦
最大电压和电流
BVCBO集电极 - 基极电压............................................. ......................................... 60 V
BVCEO集电极到发射极电压............................................. ...................................... 60 V
BVEBO发射器基极电压............................................. .............................................. 5 V
IC集电极电流.............................................................................................................. 4将
IB基本电流................................................................................................................ 0.1 A
电气特性
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICEO
ICBO
IEBO
* VCE (SAT)
* VBE (上)
*的hFE
分钟。
60
60
5
-
-
-
-
-
750
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
500
200
2
2.5
2.5
-
单位
V
V
V
uA
uA
mA
V
V
测试条件
IC=1mA
IC=50mA
IE=100uA
VCB=30V
VCB=60V
VBE=5V
IC = 1.5A , IB = 30毫安
IC = 1.5A , VCE = 3V
IC = 1.5A , VCE = 3V
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
HSMC产品规格