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HBF422 参数 Datasheet PDF下载

HBF422图片预览
型号: HBF422
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内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 35 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6404
发行日期: 1993年3月18日
修订日期: 2002年4月18日
页页次: 1/3
HBF422
NPN外延平面晶体管
描述
在电视接收器的视频B级功率级
绝对最大额定值
TO-92
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ .................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ........................................ 830毫瓦
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. .......................................... 250 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ....................................... 250 V
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................. 5 V
IC集电极电流......................................................................................................... 50毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE (SAT)
*的hFE
fT
分钟。
250
250
5
-
-
-
50
60
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
100
10
0.6
-
-
单位
V
V
V
nA
uA
V
兆赫
测试条件
IC=100uA
IC=1mA
IE=10uA
VCB=200V
VEB=5V
IC = 30mA时IB = 3毫安
VCE = 20V , IC = 25毫安
IE = 10毫安, VCE = 10V , F = 100MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
HBF422
HSMC产品规格