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HBU406 参数 Datasheet PDF下载

HBU406图片预览
型号: HBU406
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内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 2 页 / 26 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6716
发行日期: 1996年2月1日
修订日期: 2001年5月28日
页页次: 1/2
HBU406
NPN外延平面晶体管
描述
该HBU406被设计用于电视的水平和产出
开关应用。
特点
高的击穿电压
绝对最大额定值
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -50 〜+ 150
°C
结温................................................ ..................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散(TC = 25℃) ........................................ ............................................ 60瓦
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCEO集电极到发射极电压............................................. ...................................... 200 V
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................ 6 V
IC集电极电流............................................................................................................. 7将
IB基本电流.................................................................................................................... 4将
特征
(Ta=25°C)
符号
* BVCEO
IEBO
* VCE (SAT)
* VBE (SAT)
*hFE1
*hFE2
*hFE3
分钟。
200
-
-
-
-
25
30
10
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
5
1
1
1.2
-
125
-
单位
V
mA
mA
V
V
测试条件
IC = 100mA时IB = 0
VCE=400V
VEB = 6V , IC = 0
IC = 5A , IB = 0.5A
IC = 5A , IB = 0.5A
IC = 500毫安, VCE = 5V
IC = 2A , VCE = 5V
IC = 5A ,的Vce = 5V
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
中hFE2分类
范围
A
30-45
B
35-85
C
75-125
HBU406
HSMC产品规格