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型号: HDY227
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内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 37 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6401 -B
发行日期: 1998年6月21日
修订日期:二零零零年九月二十○日
页页次: 1/3
HDY227
NPN EPITACIAL平面晶体管
描述
低频功率放大器。
绝对最大额定值
最高温度
存储温度................................................ ........................................... -55 〜+ 150
°C
结温................................................ ................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ....................................... 400毫瓦
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ........................................... 30 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ........................................ 25 V
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................ 5 V
IC集电极电流....................................................................................................... 300毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE (SAT)
*的hFE
分钟。
30
25
5
-
-
-
70
马克斯。
-
-
-
100
100
400
400
单位
V
V
V
nA
nA
mV
-
测试条件
IC = 100uA的, IE = 0
IC = 10毫安, IB = 0
IE =为10uA , IC = 0
VCB = 25V , IE = 0
VEB = 3V , IC = 0
IC = 300毫安, IB = 30毫安
IC = 50mA时VCE = 1V
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
分类的hFE的
的hFE
O
70-140
Y
120-240
G
200-400
HSMC产品规格