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型号: HE8050S
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内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 4 页 / 42 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6110
发行日期: 1992年9月30日
修订日期: 2001年7月18日
页页次: 1/4
HE8050S
NPN外延平面晶体管
描述
该HE8050S是专为通用放大器应用。
绝对最大额定值
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ ................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ....................................... 625毫瓦
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ........................................... 25 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ........................................ 20 V
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................ 5 V
IC集电极电流....................................................................................................... 700毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE (SAT)
VBE (ON)的
*hFE1
*hFE2
fT
COB
分钟。
25
20
5
-
-
-
-
100
-
150
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
140
-
-
马克斯。
-
-
-
1
100
0.5
1
500
-
-
10
单位
V
V
V
uA
nA
V
V
测试条件
IC = 10uA的, IE = 0
IC = 1mA时, IB = 0
IE =为10uA , IC = 0
VCB = 20V , IE = 0
VEB = 5V , IC = 0
IC = 0.5A , IB = 50毫安
VCE = 1V , IC = 150毫安
VCE = 1V , IC = 150毫安
VCE = 1V , IC = 500毫安
VCE = 10V , IC = 20mA时, F = 100MHz的
VCB = 10V , F = 1MHz时, IE = 0
兆赫
pF
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
hFE参数的分类
hFE1
hFE2
C
100-180
-
C1
100-180
>50
D
160-300
-
D1
160-300
>50
E
250-500
-
HE8050S
HSMC产品规格