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HE8050图片预览
型号: HE8050
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内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 39 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6112
发行日期: 1992年9月30日
修订日期: 2001年8月13日
页页次: 1/3
HE8050
NPN外延平面晶体管
描述
的HE8050是专为使用在便携式2W的输出放大器
收音机在B类推挽操作。
特点
高总功耗( PT : 2W , TC = 25 ° C)
高集电极电流( IC : 1.5A )
绝对最大额定值
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ ................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ .............................................. 1 W
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ........................................... 40 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ........................................ 25 V
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................ 6 V
IC集电极电流........................................................................................................... 1.5 A
IB基本电流............................................................................................................. 500毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE (SAT)
* VBE (SAT)
VBE (ON)的
*hFE1
*hFE2
*hFE3
fT
分钟。
40
25
6
-
-
-
-
-
45
85
40
100
典型值。
-
-
-
--
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
100
100
0.5
1.2
1
-
500
-
-
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
V
测试条件
IC=100uA
IC=2mA
IE=100uA
VCB=35V
VEB=6V
IC = 0.8A , IB = 80毫安
IC = 0.8A , IB = 80毫安
VCE = 1V , IC = 10毫安
VCE = 1V , IC = 5毫安
VCE = 1V , IC =百毫安
VCE = 1V , IC = 800毫安
VCE = 10V , IC = 50毫安
兆赫
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
在hFE2分类
范围
HE8050
B
85-160
C
120-200
D
160-320
E
250-500
HSMC产品规格