HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： HE6129
发行日期： 1993年1月15日
修订日期： 2002年3月5日
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HE8550S
PNP外延平面晶体管
描述
该HE8550S是专为通用放大器应用。
特点
•
高直流电流增益： 100-500在IC = 150毫安
•
补充HE8050S
TO-92
绝对最大额定值
•
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ .................................... 150
°C
最大
•
最大功率耗散
总功率耗散（ TA = 25 ℃） ........................................ ........................................ 625毫瓦
•
最大电压和电流（ TA = 25 ° C）
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ........................................... -25 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ........................................ -20 V
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................ -5 V
IC集电极电流...................................................................................................... -700毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
* VCE （SAT）
VBE （ON）的
*hFE1
*hFE2
fT
COB
分钟。
-25
-20
-5
-
-
-
100
-
150
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
100
-
-
马克斯。
-
-
-
-1
-0.5
-1
500
-
-
10
单位
V
V
V
uA
V
V
测试条件
IC = -10uA ， IE = 0
IC = -1mA ， IB = 0
IE = -10uA ， IC = 0
VCB = -20V ， IE = 0
IC = -0.5A ， IB = -50mA
VCE = - 1V ， IC = -150mA
VCE = - 1V ， IC = -150mA
VCE = - 1V ， IC = -500mA
VCE = -10V ， IC = -20mA ， F = 100MHz的
VCB = -10V ， F = 1MHz的
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
兆赫
pF
中HEF分类
秩
hFE1
hFE2
C
100-180
-
C1
100-180
>100
D
160-300
-
D1
160-300
>100
E
250-500
-
HE8550S
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
