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HE9014图片预览
型号: HE9014
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内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 4 页 / 46 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6102
发行日期: 1992年8月25日
修订日期: 2002年4月10日
页页次: 1/4
HE9014
NPN外延平面晶体管
描述
的HE9014是专为在前置放大器的低级别和低的使用
噪声。
特点
高总功率耗散( P
D
:为450mW )
补充HE9015
高HFE和良好的线性
TO-92
绝对最大额定值
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ .................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ........................................ 450毫瓦
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ............................................ 50 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ......................................... 45 V
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................. 5 V
IC收藏家Current........................................................................................................百毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE (SAT)
* VBE (SAT)
VBE (ON)的
*的hFE
COB
fT
分钟。
50
45
5
-
-
-
-
0.58
100
-
150
典型值。
-
-
-
-
-
0.14
0.84
0.63
280
2.20
270
马克斯。
-
-
-
50
50
0.3
1
0.7
1000
3.5
-
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
V
pF
兆赫
测试条件
IC = 100uA的, IE = 0
IC = 1mA时, IB = 0
IE =为100uA , IC = 0
VCB = 50V , IE = 0
VEB = 5V , IC = 0
IC = 100mA时IB = 5毫安
IC = 100mA时IB = 5毫安
VCE = 5V , IC = 2毫安
VCE = 5V , IC = 1毫安
VCB = 10V , F = 1MHz时, IE = 0
VCE = 5V , IC = 10毫安
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
在分类的hFE
范围
HE9014
B
100-300
C
200-600
D
400-1000
HSMC产品规格