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HE9015图片预览
型号: HE9015
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内容描述: PNP外延平面晶体管 [PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 4 页 / 42 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6101
发行日期: 1992年8月25日
修订日期: 2002年2月18日
页页次: 1/4
HE9015
PNP外延平面晶体管
描述
的HE9015是专为在前置放大器的低级别和低的使用
噪声。
特点
高总功率耗散( PD :为450mW )
补充HE9014
高HFE和良好的线性
TO-92
绝对最大额定值
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ .................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ........................................ 450毫瓦
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ........................................... -50 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ........................................ -45 V
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................ -5 V
IC收藏家Current....................................................................................................... -100毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE (SAT)
* VBE (SAT)
VBE (ON)的
*的hFE
COB
fT
分钟。
-50
-45
-5
-
-
-
-
-0.6
100
-
100
典型值。
-
-
-
-
-
-0.20
-0.82
-0.65
200
4.5
190
马克斯。
-
-
-
-50
-50
-0.7
-1
-0.75
600
7
-
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
V
pF
兆赫
测试条件
IC = -100uA , IE = 0
IC = -1mA , IB = 0
IE = -100uA , IC = 0
VCB = -50V , IE = 0
VEB = -5V , IC = 0
IC = -100mA , IB = -5mA
IC = -100mA , IB = -5mA
VCE = -5V , IC = -2mA
VCE = -5V , IC = -1mA
VCB = -10V , F = 1MHz时, IE = 0
VCE = -5V , IC = -10mA
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
在hFE1分类
范围
HE9015
B
100-300
C
200-600
HSMC产品规格