HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： HE9033
发行日期： 1998年7月1日
修订日期： 2002年1月11日
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HI112
NPN外延平面晶体管
描述
该HI112设计用于一般用途的放大器和低使用
高速开关应用。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
TO-251
•
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ ...................................... 150
°C
最大
•
最大功率耗散
总功率耗散（ TA = 25 ℃） ........................................ ............................................. 25瓦
•
最大电压和电流（ TA = 25 ° C）
VCBO集电极 - 基极电压............................................. .......................................... 100伏
VCEO集电极到发射极电压............................................. ....................................... 100伏
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................. 5 V
IC集电极电流.............................................................................................................. 4将
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
ICBO
ICEO
IEBO
*VCE(sat)1
*VCE(sat)2
* VBE （上）
* VBE （SAT）
*hFE1
*hFE2
*hFE3
COB
分钟。
100
100
-
-
-
-
-
-
-
500
1
200
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
10
20
2
2
3
2.8
4
-
12
-
100
单位
V
V
uA
uA
mA
V
V
V
V
K
pF
测试条件
IC=1mA
IC=30mA
VCB=80V
VCE=50V
VEB=5V
IC = 2A ， IB = 8毫安
IC = 4A ， IB = 40毫安
IC = 2A ， VCE = 4V
IC = 4A ， IB = 80毫安
IC = 0.5A ， VCE = 3V
IC = 2A ， VCE = 3V
IC = 4A ， VCE = 3V
VCB=10V
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
HI112
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
