HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： HE9002
发行日期： 1994年3月2日
修订日期： 2002年1月17日
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HI32C
PNP外延平面晶体管
描述
该HI32C设计用于一般用途的放大器和低使用
高速开关应用。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
TO-251
•
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ .................................................. .. 150
°C
•
最大功率耗散
总功率耗散（TC = 25℃） ........................................ .............................................. 15W
•
最大电压和电流
BVCBO集电极 - 基极电压............................................. ....................................... -100 V
BVCEO集电极到发射极电压............................................. .................................... -100 V
BVEBO发射器基极电压............................................. .............................................. -5 V
IC集电极电流............................................................................................................. -3 A
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
冰
ICEO
IEBO
* VCE （SAT）
* VBE （上）
*hFE1
*hFE2
fT
分钟。
-100
-100
-
-
-
-
-
25
10
3
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-20
-50
-1
-1.2
-1.8
-
50
-
单位
V
V
uA
uA
mA
V
V
测试条件
IC = -1mA ， IE = 0
IC = -30mA ， IB = 0
VCE = -100V ， VBE = 0
VCE = -60V ， IB = 0
VEB = -5V ， IC = 0
IC = -3A ， IB = -375mA
VCE = -4V ， IC = -3A
VCE = -4V ， IC = -1A
VCE = -4V ， IC = -3A
VCE = -10V ， IC = -500mA ， F = 1MHz的
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
兆赫
HI32C
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
