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HI42C 参数 Datasheet PDF下载

HI42C图片预览
型号: HI42C
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内容描述: PNP外延平面晶体管 [PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 35 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE9013 -B
发行日期: 1996年4月12日
修订日期: 2000年11月1日
页页次: 1/3
HI42C
PNP外延平面晶体管
描述
该HI42C设计用于一般用途的放大器使用,低
高速开关应用。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ .................................................. .. 150
°C
最大功率耗散
总功率耗散(TC = 25℃) ........................................ ............................................ 20瓦
最大电压和电流
BVCBO集电极 - 基极电压............................................. ...................................... -100 V
BVCEO集电极到发射极电压............................................. ................................... -100 V
BVEBO发射器基极电压............................................. ............................................. -5 V
IC集电极电流............................................................................................................. -6 A
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICEO
IEBO
* VCE (SAT)
* VBE (上)
*hFE1
*hFE2
fT
分钟。
-100
-100
-5
-
-
-
-
-
30
15
3
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
-10
-50
-500
-1.5
-2
-
75
-
单位
V
V
V
uA
uA
uA
V
V
测试条件
IC = -1mA , IE = 0
IC = -30mA , IB = 0
IC = -100uA , IC = 0
VCE = -100V , VEB = 0
VCE = -60V , IB = 0
VEB = -5V , IC = 0
IC = -6A , IB = -600mA
VCE = -4V , IC = -6A
VCE = -4V , IC = -300mA
VCE = -4V , IC = -3A
VCE = -10V , IC = -500mA , F = 1MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
兆赫
HSMC产品规格